反应烧结碳化硅产品主要技术参数
Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products
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项目 |
单位 |
指标 |
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使用温度 |
℃ |
1380 |
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密度 |
G/cm3 |
≥3.02 |
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气孔率 |
% |
≤0.1 |
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抗弯强度 |
Mpa |
250(20℃) |
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Mpa |
280(1200℃) |
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弹性模量 |
Gpa |
330(20℃) |
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Gpa |
300(1200℃) |
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导热系数 |
W/(M.K) |
45(1200℃) |
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热膨胀系数 |
K-1×10-6 |
4.5 |
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莫氏硬度 |
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9 |
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耐酸碱性 |
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优 |
无压烧结碳化硅陶瓷技术参数
Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics
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项目 |
单位 |
SSIC |
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使用温度 |
℃ |
1900 |
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硬度Hv |
HRA |
≥92 |
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抗压强度 |
MPa |
≥2600 |
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抗弯强度 |
MPa |
≥400 |
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碳化硅量 |
% |
≥99 |
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弹性模量 |
MPa |
410 |
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导热系数 |
W/(M.K) |
100-120 |
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热膨胀系数 |
i/℃ |
4.0 |
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气孔率 |
% |
<0.1 |
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泊松比 |
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0.16 |
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